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【存储器】铠侠再回应日本工厂污染影响,仍看好NAND市场前景

来源:全球半导体观察    原作者:Flora    

近日,铠侠披露了日本工厂污染事件影响以及未来闪存市场展望等内容。

今年一月下旬,铠侠与西部数据位于日本的合资工厂发生原料污染事件,铠侠在5月13日发布的最新财报中表示,污染事件影响了部分3D NAND(BICS)的生产,目前污染问题已经解决,公司在2月底恢复了全部产能。

铠侠西数原料污染事件对闪存产业影响重大,全球市场研究机构TrendForce集邦咨询认为,该事件将使得闪存市场供应吃紧,第二季NAND Flash价格将上涨5~10%。

受污染事件影响,铠侠一季度营收环比略微下滑,但铠侠仍旧看好NAND未来前景。

该公司预计云计算和企业IT投资不断增加的环境下,数据中心/企业SSD的需求预计将保持稳定;虽然消费类市场低迷,但客户端SSD需求仍将强劲发展;智能手机市场随着5G推广以及存储容量提升,该领域存储需求也将长期增长。

由于长期看好NAND市场发展,铠侠也在持续推动NAND扩产。

铠侠表示已和西部数据敲定正式协议,共同投资四⽇市⼯⼚Fab7 (Y7)第一阶段,将生产3D NAND闪存,包括112层和162层以及未来一系列节点的产品。随着Y7一期建设的完成,2022 年秋季将开始投产。铠侠北上工厂 Fab2 (K2)则已经开工建设,计划于2023年完成,有助于扩大3D NAND(BICS)生产。

封面图片来源:拍信网