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【存储器】又一巨头闪存技术路线图曝光,未来将发力500层以上NAND技术!

来源:全球半导体观察    原作者:Flora    

在近期举办的投资者日活动上,西部数据公布未来闪存技术路线图,西数表示将与合作伙伴铠侠推出162层闪存产品(BiCS6),之后两家公司还将发力200层以上(2XX层)闪存技术。

目前闪存市场上176层闪存产品已经批量出货,西数与铠侠162层闪存虽然层数不及176层,但西数表示将采用新材料以缩小存储单元尺寸,进而缩小芯片尺寸。



△Source:西数

西数与铠侠计划2022年底前开始量产162层NAND,未来两家公司还将推出200层以上(BiCS+)的闪存产品,与BiCS6相比,200层以上BiCS+每个晶圆的位元将增加55%,传输速度提高60%,写入速度提高15%。

BiCS+产品将率先应用于数据中心领域,未来西数还将推出应用于消费者领域的200层以上产品(BiCS-Y)。


△Source:西数

除此之外,西数还透露,2032年之前还将陆续推出300层以上、400层以上与500层以上闪存技术。


△Source:西数

延申阅读:美光公布内存、闪存技术路线图

无独有偶,另一大存储厂商美光也在投资者日活动上公布了最新内存、闪存技术路线图。

在DRAM领域将持续发力1β、1γ与1δ工艺,其中美光计划2022年底前推出1β DRAM产品,将可为图形、HBM3和汽车等领域提供良好的性能,美光还将在1γ DRAM工艺中引入EUV技术。



△Source:美光

NAND Flash方面,176层NAND闪存之后,美光工艺节点依次是232层、2YY、3XX与4XX。其中,美光将在2022年底开始推出232层NAND产品...【阅读原文】

封面图片来源:拍信网