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【存储器】外媒:三星计划本月开设NAND闪存新研发中心

来源:全球闪存市场       

据外媒《BusinessKorea》8月17日报道,三星预计将在今年内发布236层NAND闪存产品。此外,三星还计划在本月开设一个新的研发中心,该中心将负责开发更先进的NAND闪存产品。

自2020年三星推出176层第七代V-NAND闪存之后,三星目前的层数记录是176层。

NAND厂商们正在竞相增加其层数。SK海力士于今年8月初完成了业界最高238层4D NAND闪存研发,并计划在2023H1量产。

美光科技于今年7月宣布,公司已开发出232层NAND闪存产品,产品现已在美光新加坡工厂量产。未来,美光还将发力2YY、3XX与4XX等更高层数。

西部数据与铠侠于去年合作开发出162层的BiCS6 FLASH™ 3D NAND,并计划2022年底前开始量产。未来,西数/铠侠将发力200+层(2XX层)闪存技术,2032年之前还将陆续推出300层以上、400层以上与500层以上闪存技术。

封面图片来源:拍信网