来源:全球闪存市场
10月11日,英特尔表示,公司已从美国商务部获得为期一年的授权,继续运营其位于中国大连的NAND闪存芯片业务。
据了解,目前,由于英特尔向外出售NAND闪存业务的程序尚在进行中,大连闪存工厂目前仍由英特尔负责运营。但在英特尔的整体业务中,NAND体量占比较小。
另外,据韩媒《韩联社》10月12日报道,三星在未来1年内,无需办理任何额外的手续即可获得美系半导体设备的供应。其位于中国大陆的晶圆厂的生产都将不会受到限制影响。
目前,三星正在持续推进西安高端3D NAND存储芯片项目的建设。
该项目分为三期,一期项目总投资108亿美元,2014年5月竣工投产,月产能13万片;二期项目总投资150亿美元,主要制造闪存芯片,月产能13万片,二期项目第二阶段于2021年年中建成投产。
三星西安NAND存储生产基地产能占三星全球NAND Flash整体产能当中的占比高达40%。
据悉,三星还将投资150亿美元建设西安三期项目,主要制造5G芯片和汽车芯片。
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