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两大存储厂商披露HBM最新进展

来源:全球半导体观察    原作者:Niki    

AI人工智能浪潮趋势推动下,高性能存储产品HBM市场需求也水涨船高。以SK海力士、三星和美光为代表的存储厂商之间的竞争赛道也转移至HBM。尤其是在英伟达驱动下,目前,三大存储器厂商都希望把握NVIDIA HBM3e商机。

在NVIDIA今年的产品规划中,H200是首款采用HBM3e 8Hi的GPU,后续的Blackwell系列芯片也将全面升级至HBM3e。目前,美光科技和SK海力士已于2024年第一季底分别完成HBM3e验证,并于第二季起批量出货。其中,美光产品主要用于H200,SK海力士则同时供应H200和B100系列。至于三星,尽管其推出HBM3e时间较晚,但也已于近期完成验证,开始正式出货HBM3e 8Hi、主要用于H200,此外,其Blackwell系列的验证工作也在稳步推进。

而近日,SK海力士和三星两家存储器厂商也披露了其HBM最新研发进展。

01SK海力士:月底量产12层HBM3E

近日,SK海力士社长金柱善(Kim Ju Seon)分享了SK海力士现有HBM产品规划。Kim Ju Seon预计,SK海力士将于9月开始量产其12层第五代高带宽存储器HBM3E产品,时间点早于原先规划的第四季度。

SK海力士是最早生产8层HBM3E的供应商,于今年年初开始向英伟达供货,12层HBM3E产品则将在本月底开始量产。Kim Joo-sun表示,这一进展有望显着提高数据传输速度和效率,对于HPC(高性能计算)和人工智能(AI)应用至关重要。

据台湾地区媒体报道称,SK海力士还计划将于2025年下半年推出12层HBM4,2026年推出16层HBM4。至于16层HBM4的封装技术,SK海力士将决定采用原本的MR-MUF,或改用Hybrid Bonding(混合键合)以降低厚度。

另外,SK海力士HBM4将会开始采用台积电的先进逻辑(Logic)制程,以超细微制程基础裸片(base die)增加更多的功能。同时SK海力士也将在性能和功效等方面,满足客户的客制化(Customized)需求。

SK海力士最新财报显示,今年二季度HBM需求表现尤为突出,其销售额环比增长超过80%,同比增长超过250%。与此同时,SK海力士HBM3E销售额在Q2开始显着增长,预计HBM3E bit出货量将在三季度超过HBM3,并在2024年将占HBM总销量的50%以上,随着12层堆叠HBM3E于本月逐步量产,SK海力士HBM出货将更加强劲。

02三星:HBM4基础裸晶已交晶圆厂负责

9月4日,三星存储器事业部负责人Jung-Bae Lee表示,公司HBM4基础裸晶已交由晶圆厂负责。

目前AI时代遇三大挑战,即能耗、因存储器频宽限制带来的AI效能限制,以及储存容量限制。为了克服上述挑战,Jung-Bae Lee指出,在HBM4以前,三星是采用自家存储器负责制造,但在下一代高频宽存储器HBM4,基础裸晶(Base Die)已交由晶圆代工厂商负责,而三星则负责Core Die。

Jung-Bae Lee指出,三星在存储器领域的合作不限于自家晶圆代工业务,会积极与其他公司合作,持续推动存储、软件产业的成长。此外,其还表示,进入HBM4时代,存储器厂商、晶圆厂与客户间的合作日趋重要,三者之间的关系也将越来越紧密,而三星除准备好解决方案,也致力维持弹性。

封面图片来源:拍信网