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SK海力士开始量产全球最高的321层NAND闪存

来源:全球半导体观察       

· 开发出业界首款321层 1TB TLC NAND闪存,将于明年上半年开始供应
· 采用“3-Plug”工艺技术突破堆叠极限,与上一代相比,性能和生产效率都有所提升
· “加强AI领域存储竞争实力,跃升为‘全方位面向AI的存储器供应商’”

2024年11月21日,SK海力士宣布,开始量产全球最高的321层 1Tb(太比特,Terabit)TLC(Triple Level Cell)* 4D NAND闪存。

SK海力士表示:“公司从2023年6月量产当前最高的上一代238层NAND闪存产品,并供应于市场,此次又率先推出了超过300层的NAND闪存,突破了技术界限。计划从明年上半年起向客户提供321层产品,由此应对市场需求。”

公司在此次产品开发过程中采用了高生产效率的“3-Plug*”工艺技术,克服了堆叠局限。该技术分三次进行通孔工艺流程,随后经过优化的后续工艺将3个通孔进行电气连接。在其过程中开发出了低变形*材料,引进了通孔间自动排列(alignment)矫正技术。公司技术团队也将上一代238层NAND闪存的开发平台应用于321层,由此最大限度地减少了工艺变化,与上一代相比,其生产效率提升了59%。

此次321层产品与上一代相比,数据传输速度和读取性能分别提高了12%、13%,并且数据读取能效也提高10%以上。SK海力士将以321层NAND闪存积极应对面向AI的低功耗、高性能新市场,并逐渐扩大其应用范围。

SK海力士NAND闪存开发担当副社长崔正达表示:“公司率先投入300层以上的NAND闪存量产,在攻占用于AI数据中心的固态硬盘、端侧AI等面向AI的存储(Storage,存储装置)市场方面占据了有利地位。由此公司不仅在HBM为代表的DRAM,在NAND闪存领域也具备超高性能存储器产品组合,将跃升为‘全方位面向AI的存储器供应商’。”

* NAND闪存芯片根据每个单元(Cell)可以存储的信息量(比特,bit),分为SLC(Single level Cell,1位)、MLC(Muti Level Cell,2位)、TLC(Triple Level Cell,3位)、QLC(Quadruple Level Cell,4位)、PLC(Penta Level Cell,5位)等不同规格。单元信息存储容量越大,意味着单位面积可以储存的数据越多。

* 通孔(Plug):堆叠多层基板之后,为一次性形成单元的垂直孔。

* 低变形(Low Stress):通过改变plug内填充的物质,减少变形。