EN CN
注册

【材料/设备】联电积极投入GaN制程开发 初期瞄准6英寸代工

来源:钜亨网    原作者:林薏茹    

晶圆代工厂近来积极布局第三代半导体材料氮化镓(GaN),除龙头厂台积电已提供6英寸GaN-on-Si(硅基氮化镓)晶圆代工服务外,世界先进GaN制程也预计年底送样,联电同样积极投入GaN制程开发,携手子公司联颖布局高效能电源功率元件市场。

联电表示,GaN制程开发是现有研发计划中的重点项目之一,目前与转投资公司砷化镓(GaAs)晶圆代工厂联颖合作,仍处于研发阶段,初期将以6英寸晶圆代工服务为目标,未来也会考虑迈向8英寸代工。

联颖是联电持股81.58%子公司,为其新投资事业群的一员,提供6英寸砷化镓晶圆代工服务,终端产品应用领域包括手机无线通讯、微波无线大型基地站、无线微型基地台、物联网、国防航太、光纤通讯、光学雷达,及3D感测元件等。目前营运持续亏损,去年亏损新台币2.79亿元,今年首季则亏损新台币861万元。

目前包括台积电、汉磊投控集团的晶圆代工厂汉磊科,6英寸GaN-on-Si晶圆代工制程均已量产;台积电今年2月也宣布结盟意法半导体,意法将采用台积电的GaN制程技术,生产氮化镓产品,加速先进功率氮化镓解决方案开发与上市,携手抢攻电动车市场商机。

世界先进在GaN材料上已投资研发4年多,与设备材料厂Kyma、及转投资GaN矽基板厂Qromis携手合作,着眼开发可做到8英寸的新基底高功率氮化镓技术GaN-on-QST,今年底前将送样客户做产品验证,初期主要瞄准电源相关应用。

封面图片来源:拍信网