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【材料/设备】芯生代项目获1500万元投资 涵盖第三代半导体领域

来源:全球半导体观察整理       

据温州网报道,11月19日,世界青年科学家峰会创业基金(以下简称“青科基金”)在2021年温州全球精英创新创业大赛总决赛上举行项目投资签约仪式。签约仪式上,温州芯生代科技有限公司(以下简称“芯生代”)项目、温州星耀激光科技有限公司(以下简称“星耀激光”)项目、纳百川控股有限公司项目三个项目共获得青科基金3200万元的投资。


图片来源:温州网

报道显示,本次青科基金所投资的项目中,芯生代和星耀激光均属于科技成果转化。其中,芯生代首席科学家钟蓉博士团队掌握了第三代半导体氮化镓外延片及功率芯片制造的技术,目前国内市场处于应用产品发展初期,尚无成熟的氮化镓外延和功率芯片产品,严重依赖国外进口,国产化意义重大。

报道称,芯生代是一家专注硅(Si)基氮化镓(GaN)等第三代半导体材料及功率芯片研发生产一体化的企业。氮化镓外延片已被列入2030年国家新材料重大项目七大方向之一,是目前电子功率器件的主要宽禁带半导体衬底材料,在5G通信、电动汽车、新能源、国防等领域具有明确且可观的市场前景,是半导体产业重要的发展方向。

据了解,青峰基金投资了1500万元支持芯生代项目产业化。目前项目已完成6英寸硅基氮化镓外延片试产,制备出的GaN外延片镜面效果优异,覆盖率达100%,良品率60%以上(按面积计算),半峰宽稳定在450-500,品质完全达到并超越厂商使用标准。

封面图片来源:拍信网