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【材料/设备】实现小批量生产,电科材料成功研制出8英寸碳化硅晶体

来源:化合物半导体市场       

3月2日,电科材料下属山西烁科晶体有限公司(以下简称”烁科晶体“)宣布已于今年1月实现8英寸N型SiC抛光片的小批量生产,助推国产8英寸N型SiC抛光片的批量化生产。

据了解,烁科晶体成立于2018年10月,是国内专业从事第三代半导体SiC研发和生产的领军企业之一,也是国内率先实现SiC材料产业链供应链自主可控的SiC材料供应商,现拥有覆盖SiC粉料制备、单晶生长和晶片加工等的整套生产线,其中单晶生长设备有600台。

核心技术方面,烁科晶体掌握了SiC生产装备制造、高纯SiC粉料制备工艺、N型SiC单晶衬底和高纯半绝缘SiC单晶衬底的制备工艺,其中包括4/6/8英寸衬底片的“切、磨、抛”工艺,解决了关键技术工艺“卡脖子”问题。

产品方面,烁科晶体主要生产高纯半绝缘SiC单晶衬底、N型导电型SiC单晶衬底、SiC晶体等。其中,4英寸高纯半绝缘SiC衬底已实现产业化,月产能可达8000片,且在国内市场占有率超过50%。6英寸高纯半绝缘SiC衬底也已实现小批量供应。

在此基础上,烁科晶体于2021年8月成功研制出8英寸SiC晶体,突破了大尺寸单晶制备的重要难题,如今进一步取得实质性进展,实现8英寸N型SiC抛光片的小批量生产。

烁科晶体介绍,由于SiC对温度及压力控制有着极其苛刻的要求,而且其本身具有的高硬度、高脆性、低断裂韧性等特点,大尺寸碳化硅单晶的制备及切割极具挑战性,而烁科晶体8英寸晶体和晶片的成功研制,则充分验证了公司的自主创新能力和专业研发实力。

据TrendForce集邦咨询分析,SiC等第三代半导体关键衬底材料生长条件困难、工艺难度大、技术门槛高,将成为SiC下游产能关键制约点,目前关键技术仍掌握在Wolfspeed、罗姆、II-VI、意法半导体等国际IDM大厂手中,国内外技术仍存在不小的差距。

不过,可喜的是,国内厂商正在强势崛起。近两年来,随着山东天岳、天科合达等厂商在利好政策的支持下乘风而上,国产SiC产业技术难题不断取得突破。

同时,越来越多像烁科晶体、同光股份等的国内企业也在持续赶超,一步一步突破SiC产业技术壁垒,助力缩短国内外技术差距,推动SiC衬底等关键材料的国产化替代进程。

封面图片来源:拍信网