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【材料/设备】华为哈勃持股23.91%,年产能15万片的化合物半导体项目投产

来源:全球半导体观察    原作者:禾忍    

近日,云南锗业发布公告称,公司控股子公司云南鑫耀半导体材料有限公司(以下简称“鑫耀半导体”)实施的“磷化铟单晶片建设项目”已经正式投产。

4英寸磷化铟单晶片产线投产
6英寸项目正在研发试制

根据此前公告披露,磷化铟单晶片建设项目总投资3.24亿元,由鑫耀半导体在昆明高新技术产业开发区马金铺电力装备园B-5-5地块云南国家锗材料基地内建设一条磷化铟单晶片生产线,项目建设期24个月。

该项目的实施内容还包括已完成的“5万片/年2英寸磷化铟单晶及晶片产业化建设项目”(下称“2英寸项目”)。云南锗业表示,在2英寸项目的基础上,将实现4英寸磷化铟单晶及晶片的产业化。项目生产线建成后将具备年产15万片4英寸磷化铟单晶片的能力。

除了披露已经投产的4英寸磷化铟单晶片项目,近日,云南锗业还披露了6英寸磷化铟单晶技术项目的进展。云南锗业在互动平台上表示,6英寸磷化铟单晶技术项目是公司为应对将来市场需求升级而进行的技术储备,目前该项目尚在研发试制过程中。

华为持股23.91% 
哈勃科技关联方供应有保障

资料显示,鑫耀半导体成立于2013年,是云南锗业旗下控股子公司,主要负责化合物半导体材料砷化镓晶片(衬底)、磷化铟晶片(衬底)的研发和生产,产品被广泛应用于垂直腔面发射激光器(VCSEL)、大功率激光器、光通信用激光器和探测器等领域。

2021年鑫耀半导体砷化镓晶片、磷化铟晶片开始向下游客户批量供货,并实现营业收入7097.72万元,营业利润1784.66万元。

值得一提的是,作为国家工信部认定的专精特新“小巨人”企业,鑫耀半导体还获得了华为旗下半导体投资平台哈勃科技的增资入股。

2021年初,哈勃科技以货币方式向鑫耀半导体增资3,000万元,增资完成后哈勃科技持有鑫耀公司23.91%的股权,为第二大股东。

云南锗业表示,哈勃科技入股公司控股子公司,将进一步加强与下游厂商的沟通与协作,有利于鑫耀公司产品质量的提升和推动其市场开拓工作,鑫耀半导体将向哈勃科技关联方提供砷化镓及磷化铟衬底,并保障供应,对方则通过对相关产品的实际应用为鑫耀公司提供技术及产品验证上的反馈。

国内政企合力 
加速布局第二代半导体材料

据悉,砷化镓和磷化铟都属于第二代半导体材料,其中,砷化镓凭借高功率密度、低能耗、抗高温、高发光效率、抗辐射、高击穿电压等特性,被广泛应用于光通信、高频毫米波器件、光电器件、光电集成电路集成激光器、光探测器等领域,而磷化铟产品则在射频、光电子、移动通信、数据通信等多项领域的广泛应用。

集邦咨询半导体分析师龚瑞骄透露,高端磷化铟和砷化镓材料主要用于光通信、激光器、探测器以及射频器件等领域。

纵观国内市场,虽然以碳化硅/氮化镓为主的第三代化合物半导体已经成为研发主流,但近年来,国内地方政府和相关企业正在加速第二代化合物半导体材料的研发。

例如,重庆市政府今年3月印发的《重庆市战略性新兴产业发展“十四五”规划(2021—2025年)》中明确提出,积极发展化合物半导体,提升砷化镓、磷化铟等第二代化合物半导体材料制造能力、产能和化合物半导体芯片生产线良品率,发展激光器芯片、光电器件等产品。

同时,相关企业也已经正式向资本市场发起冲击,其中,华为哈勃持股3.74%的长光华芯已于今年4月1日正式登陆科创板,北京通美晶体的科创板申请则已完成首轮问询。此外,华灿光电、有研新材、以及三安光电等A股公司在砷化镓领域也有涉足。

未来,随着5G通信、可穿戴设备、光通信、人工智能、无人驾驶等领域的发展,化合物半导体材料市场规模将逐步扩大,国内相关企业也将进一步实现突破。

封面图片来源:拍信网