来源:全球半导体观察 原作者:Kiki
据路透社报道,半导体设备巨头ASML正在着手研发价值4亿美元(约合人民币26.75亿元)的新旗舰光刻机,有望2023年上半年完成原型机,最早2025年投入使用,2026年到2030年主力出货。
消息显示,新一代High-NA EUV光刻机机型约双层巴士大小,重量超过200吨。该设备精密度更高、所使用的零部件更多,可用于生产下一代芯片,芯片终端领域可覆盖手机、笔电、汽车、AI等。
业界猜测,这款新机应该指的就是High-NA EXE:5200(0.55NA),在今年1月中旬,Intel宣布第一个下单订购了ASML TWINSCAN EXE:5200光刻机,结合今年ASML Q1季度财报,EXE:52000已经订出去不止一台。
据了解,ASML下一代EUV 0.55NA平台有望使芯片尺寸减小1.7倍,进一步提高分辨率,并将微芯片密度提高近3倍。
据悉,0.55NA光刻机比现售的0.33NA EUV光刻机大出30%,售价约是0.33NA EUV的2倍。目前,为克服技术挑战,ASML正与全球最大的微电子研发机构IMEC共同建立测试实验室。
目前,英特尔、三星、台积电等代工厂正大幅扩产,其中台积电、三星两家在先进工艺制程较量不断升级,据悉,今年他们先后宣布了将在今年量产3nm,业界推测他们所使用的设备应该就是ASML最新一代的0.33NA EUV。光刻机设备与芯片制程工艺相匹配,目前EUV光刻机暂时能满足量产3nm的需要,但是3nm以下工艺却难以胜任。这也是ASML加速研发新的光刻机的原因之一。
据近期外媒消息,台积电等公司计划在2023年开始生产2nm代。如果消息属实,ASML高端光刻机将更加火热。
接下来的几年,ASML将会很忙。Q1财报会议上,ASML表示,随着第二季度芯片制造设备的市场需求超过供应量,将上调长期营收预期,维持今年20%的营收增幅和55台极紫外光科技的产能预期不变,并表示,2025年将能生产70多部极紫外光刻机。
封面图片来源:拍信网