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湖南德智新材料半导体用碳化硅蚀刻环项目完成主体工程建设,将于明年初投产

来源:全球半导体观察整理       

据“株洲高新技术产业开发区管理委员会、株洲市天元区人民政府”官网消息,在新马工业园内,湖南德智新材料有限公司(以下简称“德智新材料”)半导体用碳化硅蚀刻环项目完成了主体工程建设,并预计在明年初投产。

德智新材料董事长柴攀表示,此次半导体用碳化硅蚀刻环项目,总投资约2.5亿元,主要用于半导体用碳化硅蚀刻环的研发、制造,投产后年产值超1亿元。

消息显示,SiC刻蚀环是半导体材料在等离子刻蚀环节中的关键耗材。SiC刻蚀环对纯度要求极高,只能采用CVD工艺进行生长SiC厚层块体,随后经精密加工而制得,主要用于半导体刻蚀工艺的制备环节。

据官方介绍,德智新材料成立于2017年,是一家专业从事碳化硅纳米镜面涂层及陶瓷基复合材料研发,生产和销售的高新技术企业。

消息指出,2018年,德智新材落户动力谷自主创新园。随后,德智新材自主设计的国内最大化学气相沉积设备完成调试投入使用。这个设备能在高温、高真空环境下合成镜面纳米碳化硅涂层。目前,“德智新材”成为国内最大单晶太阳能生产企业——隆基股份等龙头企业的供货商,并与吉林大学、中南大学等高校建立长期合作关系。

封面图片来源:拍信网