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【材料/设备】II-VI与与天域半导体签订1亿美元碳化硅衬底订单

来源:全球半导体观察整理       

8月17日,高意集团(II-VI)宣布,已与东莞天域半导体科技有限公司(以下简称“天域半导体”)签订1亿美元订单,向后者供应碳化硅(SiC)6英寸衬底,从本季度开始到2023年底交付。

II-VI新创企业和宽带电子技术业务部执行副总裁SohailKhan表示,“2021年11月,我们很高兴地宣布,天域半导体选择了II-VI作为其主要的战略合作伙伴,供应用于电力电子的150毫米SiC衬底,随着终端需求的大幅增长,天域半导体必须通过这个长期的、大批量的合同来确保其供应,这个合同将是经常性的,并且随着时间的推移,其价值也在增长。”

为了满足亚洲市场的需求,II-VI于2021年在中国福州的II-VI"亚洲地区总部"建立了一条SiC衬底的后端加工生产线,其洁净室面积超过50,000平方英尺。天域半导体将受益于II-VI,该公司在美国和中国的150毫米SiC全球产能。

2022年3月7日,高意集团表示,正在加快对150毫米和200毫米碳化硅衬底和外延晶圆生产的投资,在宾夕法尼亚州的Easton和瑞典的Kista进行大规模的工厂扩建。据悉,这是高意集团先前宣布的在未来10年内对碳化硅投资10亿美元的一部分。

封面图片来源:拍信网