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【材料/设备】中国高能离子注入机核心技术难关得到突破!

来源:全球半导体观察整理       

据“中国电科”报道,国内高能离子注入机核心技术难关得到突破!由中国电科所属北京烁科中科信设备研发团队自主研制的国内首台高能离子注入机已顺利进驻国内先进集成电路大生产线。

作为集成电路芯片制造的关键设备,离子注入机设备的研制难度极大、研制基础薄弱,其应用也非常广泛,不仅可以用做大规模集成电路和器件和半导体材料的离子注入,还能用于金属材料表面改性和制膜等方面。

其中,低能大束流离子注入机被应用于制程逻辑、DRAM、3D存储器和CIS芯片制造中,高能离子注入机则较多应用在功率器件、IGBT、5G射频、CIS、逻辑芯片等器件制备过程中。

据悉,高能离子注入机是离子注入机中技术难度最大的机型,被认为是离子注入机研发领域公认的“珠穆朗玛峰”,是我国集成电路制造装备产业链上亟待攻克的关键一环。

“中国电科”消息指出,北京烁科中科信设备研发团队实现了中束流、大束流、高能、特种应用及第三代半导体等全谱系离子注入机自主创新发展,大幅缩小了与国际一流水平差距。

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