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单台成本3亿-3.5亿欧元,ASML新High-NA EUV有望2024年出货

来源:全球半导体观察整理       

据外媒报道,荷兰半导体设备业龙头ASML计划在韩国投资建设的再制造工厂及培训中心于11月16日开工,ASML执行长Peter Wennink表示,将投资至少2400亿韩元,以便与三星电子和SK海力士等当地客户合作,并计划在2024年全部建成。

2021年11月,ASML与韩国华城签署了备忘录,计划在韩国投资2400亿韩元建设光刻设备再制造工厂及培训中心,主要用途是为韩国当地运行的EUV光刻机的维护和升级提供助力。

对于半导体设备的扩产规划,Peter Wennink于11月15日表示,新High-NA EUV微影曝光设备有望于2024年出货,首次应用于晶圆厂,单台成本3亿-3.5亿欧元。

资料显示,High-NA EUV系统将提供0.55数值孔径,与0.33数值孔径透镜的EUV相比,精度提高,具更高解析度图像化能力,以完成更小电晶体,对2纳米以下制程是必要设备。

客户方面,虽然价格高昂,但今年年初ASML依然收到了来自英特尔的最新款High-NA EUV“EXE:5200”首张订单,并预计到2025年将该设备加入量产,除英特尔外,台积电亦有下单。而三星、SK海力士虽未公开证实,但也传出向ASML下订单。从目前需求看,ASML年产20台可能会供不应求,所以芯片厂可能为了先获得设备展开激烈竞争。

此前ASML曾表示,计划在2025年到2026年进一步提高产能,包括年产90台EUV(极紫外光)光刻机和600台DUV(深紫外光)光刻机,同时,在2027年到2028年,增产20个系统高NA EUV光刻机。

Wennink指出,High-NA EUV设备将于2024年首次应用于晶圆厂,长期计划为年产20台。

被问及全球芯片市场,Wennink认为,虽然短期低迷持续,但从中长期看,市场只会成长,并预计未来10年,半导体市场平均每年成长9%,2030年产值将落在1万亿至1.3万亿美元。其表示,随着全球对先进芯片的需求日益飙升,公司可能会进行并购。

封面图片来源:拍信网