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专注于大尺寸SiC衬底,超芯星半导体完成亿元B轮融资

来源:全球半导体观察整理    原作者:Viki    

近日,江苏超芯星半导体有限公司(下称“超芯星”)宣布完成亿元B轮融资。本轮融资由渶策资本领投,浙江创智、大有资本、佳银资本跟投,多维资本鼎力支持。本轮融资资金将用于超芯星二期项目的扩产、运营以及研发的持续投入。

2021年11月,超芯星宣布完成数亿元A+轮融资。本轮融资由招银国际领投,华业天成和软银中国跟投,老股东同创伟业追加投资;2020年9月,超芯星完成A轮融资,投资方为南京扬子区块链股权投资基金;种子轮由个人天使投资人严宗华完成,天使轮由同创伟业和磊梅瑞斯完成。

据官微介绍,超芯星半导体于2019年成立,专注于大尺寸SiC衬底,2020年3月被江北新区重点引进,是南京市唯一的第三代半导体衬底生产企业,该公司已于2019年10月推出大尺寸碳化硅单晶产品。

碳化硅是由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料,因其禁带宽度大于2.2eV被称为宽禁带半导体材料,在国内也称为第三代半导体材料。

碳化硅可广泛应用于5G通讯、航空航天、轨道交通、电动汽车、光伏储能、风力发电、智能电网、高压输配电和电能变换、电机控制、节能建筑等重要国防和民用领域,是推动战略性新兴产业的重要支撑。全球碳化硅衬底主要来自美国Cree和II-VI企业。

2022年7月底,超芯星宣布6英寸碳化硅衬底已进入美国一流器件厂商。超芯星当时表示,为满足国内外市场的订单,公司正在有序交货及稳步扩产,计划将6-8英寸碳化硅衬底的年产量提升至150万片。

封面图片来源:拍信网