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拓荆科技拟投资2.5亿元建设高端半导体设备产业化基地建设项目

来源:全球半导体观察整理       

3月2日,拓荆科技发布公告称,公司基于整体战略布局及经营发展的需要,为加快产能规划及产业布局,拟投资建设“高端半导体设备产业化基地建设项目”,本项目由公司及其子公司拓荆创益共同实施。

根据公告,本项目拟选址于沈阳市浑南区,项目占地面积约147亩,其中公司拟购买土地使用权面积约42亩,拓荆创益拟购买土地使用权面积约105亩(具体以实际情况为准);项目总投资额约为人民币110,000.00万元,其中公司投资金额约为人民币38,000.00万元,拓荆创益投资金额约为人民币72,000.00万元。

目前,拓荆科技已形成 PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD 等薄膜设备产品系列,广泛应用于国内集成电路逻辑芯片、存储芯片等制造产线。

拓荆科技表示,公司本次新建项目通过提升公司半导体薄膜沉积设备的产能,可以进一步推动公司业务规模的持续增长,进而提升公司薄膜沉积设备的市场份额,抓住市场机遇,迅速扩大企业规模。

封面图片来源:拍信网