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天岳先进:拟募资3亿投资8英寸车规级SiC衬底制备技术提升项目

来源:全球半导体观察       

7月8日,天岳先进发布公告称,其拟以简易程序向特定对象发行股票,募集资金总额不超过3亿元(含本数),扣除相关发行费用后的募集资金净额将用于投资8英寸车规级SiC衬底制备技术提升项目。

预案显示,本次项目主要研发方向包括SiC生长热场仿真、SiC单晶应力控制、SiC单晶微缺陷控制、导电型SiC电阻率控制等。天岳先进本次募资的3亿元主要投向建筑工程及安装工程费用及设备购置费。项目建设周期为24个月,包括厂房净化间装修改造、设备采购安装、新技术和工艺试验等三个阶段。

此前,据上海临港管委会官网信息显示,天岳先进的“碳化硅半导体材料二期(一阶段)项目”的环评信息已于近日公示。上海天岳利用“现有厂区内增加生产设备开展8英寸碳化硅晶片生产线建设,并对现有6英寸碳化硅晶片部分工艺进行改造”。

公开资料显示,上海天岳为天岳先进全资子公司,上海天岳公示环评表明该公司的上海临港工厂二期8英寸碳化硅衬底产能建设已经进入实质性阶段。据悉,天岳先进临港工厂已经达到年产30万片衬底产能规划目标。临港工厂的8英寸碳化硅总体产能规划约60万片,公司将分阶段实施。

封面图片来源:拍信网