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【制造/封测】总投资100亿美元!华虹无锡6月5日首批光刻机搬入

来源:全球半导体观察    原作者:张明花    

日前,华虹半导体(无锡)有限公司12英寸生产线建设项目(以下简称“华虹无锡项目”)迎来了首台工艺设备搬入。根据计划,该项目将于6月5日进行首批光刻机搬入,这将是整个项目建设新的里程。

华虹无锡项目联合体总包单位十一科技官方消息显示,5月24日,华虹无锡项目举行第十一次推进会暨首台工艺设备搬入仪式,并进行了华虹七厂授牌仪式。

值得一提的是,华虹宏力总裁、党委书记唐均君提到,华虹无锡项目将于6月5日迎来首批光刻机搬入,“在项目建设新的里程——6月5日光刻机搬入后,整个项目即将达到新的高度。”

华虹无锡的第一台设备正式搬入标志着华虹无锡项目进入一个新阶段,为6月5日光刻机的搬入奠定了基础。

根据此前官方介绍,华虹无锡项目占地约700亩,总投资100亿美元,一期投资25亿美元,新建一条工艺等级90~65纳米、月产能约4万片的12英寸特色工艺集成电路生产线,支持5G和物联网等新兴领域的应用。

该项目于2018年3月正式开工建设,计划将于2019年上半年完成土建施工,下半年完成净化厂房建设和动力机电设备安装、通线并逐步实现达产。自开建以来,华虹无锡项目一直加速前进,主要工程节点均提前完成。

今年3月,华虹半导体在其年报上表示,华虹无锡已于2018年底主体结构全面封顶,预计将于2019年第二季度末完成厂房和洁净室的建设,下半年开始搬入设备,并于2019年第四季度开始300mm晶圆的量产。

如今首台设备已搬入,在时间上较计划又有所提前,项目推进看来颇为顺利。随着接下来下个月首批光刻机的搬入,如无意外,华虹无锡项目很快将迎来量产,业业界预计设备搬入后3个月左右。

据悉,为加快实现华虹无锡的顺利投产、风险量产和上量,华虹半导体在2018年启动了55nm逻辑工艺及相关IP的研发,预计2019年下半年开始导入客户,同时开始研发55纳米嵌入式闪存工艺的存储单元,功能验证已通过,为未来55纳米嵌入式闪存技术量产打下坚实的基础。

对于华虹半导体来说,华虹无锡的量产意义重大,将是其产能的升级以及发展的新阶段、新里程碑。某不具名业内人士分析认为,目前华虹的产能已然满产,如今正值国产替代化大潮将至,华虹无锡带来的产能将有望解其产能燃眉之急以及提升竞争力。

上述业内人士还指出,由于下游需求的快速增长,8英寸产能已经连续多季处于供应紧张的状态,在目前8吋产线由于设备较少新开和扩建难度较大的情况下,8英寸产品或将加速向12英寸转移,同时12英寸的经济效应也比8英寸好、单颗成本更低。

随着国内2015年以来新建的8英寸和12英寸特色工艺产线如华虹无锡项目等相继投产,相关产品晶圆制造产能供应紧张的局面会得到缓解。

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