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【制造/封测】博通与特斯拉共同研发HPC 台积电先进封装再下一城

来源:TechNews科技新报    原作者:Atkinson    

业界传出,台积电又再拿下大单,将代工博通(Broadcom)与特斯拉(Tesla)共同研发的高效能运算芯片(HPC)。

消息指出,此单将会以台积电7纳米制程投片,且值得注意的是,将采用台积电InFO等级的系统单晶圆(System-on-Wafer,SoW)技术,能将HPC芯片在不需要基板及PCB情况下直接与散热模组整合成单一封装,是今年才刚量产的最新技术。此案预计第四季开始生产,初期将先投约2,000片。

针对HPC基板上晶圆上芯片封装制程(CoWoS),台积电今年已经推出支援5纳米逻辑单芯片及2.5倍光罩尺寸(Reticle)中介层(Interposer),并可做到5层金属层(Metal layers)及深沟槽电晶体(DTC)的程度,最高能搭载6颗HBM2e存储器。明年还将更进一步,做到3倍光罩尺寸中介层,并支援搭载最多8颗存储器。

而这次博通为特斯拉打造的ASIC芯片据传将成为未来新款电动车的核心处理器,将用于实现真正自驾能力的重要合作项目,每片12寸晶圆约只能切割出25颗芯片而已,是利用路线重分布(RDL)技术将电源等多颗芯片进行连结,并直接贴合在散热模组上,预期明年第4季将进行大规模量产。

业界表示,虽然目前先进封装技术也是竞争激烈,但如三星在晶圆制造上之线宽微缩已落后于台积电,整体实力评估,可能只有英特尔开发的EMIB先进封装技术能够与之比肩。但如今英特尔7纳米制程出现问题,且主要仍以IDM为主的情况下,无法如台积电一般广泛供应给其他高端芯片商,基本上台积电封装技术应会成为市场主流。

封面图片来源:台积电官网