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【制造/封测】中芯国际:第二代FinFET N+1工艺有望年底小批量试产

来源:全球半导体观察       

近日,中芯国际在投资者互动平台上表示,公司第一代FinFET 14纳米已于2019年四季度量产;第二代FinFET N+1已进入客户导入阶段,可望于2020年底小批量试产。

据悉,中芯国际联合首席执行官梁孟松亦曾在2019第四季度财报会议上透露了中芯国际下一代“N+1”工艺的详细数据。梁孟松透露,中芯国际的下一代N+1工艺和14nm相比,性能提升了20%,功耗降低了57%,逻辑面积缩小了63%,SoC面积减少了55%。

同时,梁孟松也表示,在功率和稳定性方面,N+1代工艺和7nm工艺非常相似,区别在于性能及成本方面,N+1工艺的提升较小,市场基准的性能提升应该是35%。所以,中芯国际的N+1工艺是面向低功耗应用领域的。

在集成电路晶圆代工行业,工艺技术节点平台的丰富性是衡量集成电路晶圆代工企业综合实力的重要考量因素,中芯国际作为为中国大陆规模最大、技术最先进的集成电路晶圆代工企业,目前已覆盖0.35微米至14纳米多种技术节点,且成功布局并开发了逻辑电路、电源/模拟、高压驱动、嵌入式非挥发性存储、非易失性存储、混合信号/射频、图像传感器等多个技术平台。

封面图片来源:拍信网