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【制造/封测】总投资52亿元 无锡华虹集成电路一期扩能

来源:全球半导体观察整理       

4月19日,无锡市发展和改革委员会官网披露了重大项目“无锡华虹集成电路一期扩能”的相关信息。

信息显示,无锡华虹集成电路一期扩能的项目单位为华虹半导体(无锡)有限公司,项目建设内容及规模为形成一条工艺等级90-65/55nm、月产能达到6.5万片的12吋特色工艺集成电路芯片生产线。建设起止年限为2021年,计划总投资52亿元,当年计划投资52亿元。

图片来源:无锡市发改委官网截图

根据此前资料,华虹半导体(无锡)有限公司承担建设华虹无锡集成电路研发和制造基地,一期项目(华虹七厂)投资25亿美元,建设一条月产能4万片的12英寸集成电路生产线,该项目已于2019年9月建成投片。

华虹半导体2020年年报显示,2020年是华虹半导体(无锡)有限公司12吋晶圆厂建成投产的第二年,机台搬入进度、技术研发进度、客户拓展进度均大幅领先于原计划。嵌入式闪存、逻辑射频与功率器件三大平台已实现持续量产出货。2020年,月投片量超2万片。

展望2021年,华虹半导体表示,公司将延续「IC+Discrete」的战略方针,充分运用「8吋+12吋」的产能布局优势,持续优化8吋产品组合,同时推进12吋扩产。12吋背照式CIS图像处理芯片、BCD电源管理芯片、标准式存储器、以及12吋IGBT和超级结高压功率器件等多个新产品将于2021年重磅入市,引领公司另一波成长。

封面图片来源:拍信网