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【制造/封测】意法半导体制造出首批200mm碳化硅晶圆!

来源:全球半导体观察整理       

7月27日,意法半导体官微宣布,ST瑞典北雪平工厂制造出首批200mm (8英寸)碳化硅(SiC)晶圆片,这些晶圆将用于生产下一代电力电子芯片的产品原型。

图片来源:ST官微


意法半导体指出,SiC晶圆升级到200mm标志着扩大产能,以及支持汽车和工业市场实现系统和产品电气化的计划取得阶段性成功。

消息表示,首批200mm SiC晶圆片质量上乘,其芯片良率和晶体位错的缺陷率影响非常少。除了晶圆片满足严格的质量标准外,SiC晶圆升级到200mm还需对制造设备和整体支持生态系统进行升级更换。据披露,意法半导体正在与供应链上下游技术厂商合作开发自己的制造设备和生产工艺。

值得关注是,意法半导体介绍称,200mm晶圆与 150mm晶圆相比,可增加产能,将制造集成电路可用面积几乎扩大1 倍,合格芯片产量是150mm晶圆的1.8 - 1.9 倍。

据意法半导体官微揭露,意法半导体先进的量产碳化硅产品STPOWER SiC目前是在卡塔尼亚(意大利)和宏茂桥(新加坡)两家150mm晶圆厂完成前工序制造,后工序制造是在深圳(中国)和布斯库拉(摩洛哥)的两家封测厂进行的。这个阶段性成功是意法半导体布局更先进的、高成本效益的200mm SiC量产计划的组成部分。SiC晶圆升级到200mm属于公司正在执行的SiC衬底建新厂和内部采购SiC衬底占比超40%的生产计划。

封面图片来源:拍信网