注册

【制造/封测】合肥沛顿存储项目即将投产,沛顿科技先进封装布局抢先看

来源:全球半导体观察    原作者:Flora    

在近期召开的TrendForce集邦咨询MTS2022存储产业趋势峰会上,沛顿科技首席技术官何洪文在演讲中谈及合肥沛顿存储项目最新进展,并分享了对未来存储封装技术的发展趋势及技术挑战的见解。

合肥沛顿存储将于今年年底投产

据“沛顿科技”官微资料显示,合肥沛顿存储科技有限公司(以下简称合肥沛顿存储)于2020年10月30日成立于安徽省合肥市经济技术开发区空港经济示范区。合肥沛顿存储作为沛顿科技在华东地区的运营基地,将配合国内主要客户,提供晶圆测试、封装测试、模组组装一条龙服务模式。

项目占地面积约178亩,于2021年3月启动建设,于6月26日实现一期封顶,10月27日首线设备顺利进场。

项目达产后,预计可实现年封测DRAM颗粒5.76亿颗,年封装NAND FLASH 3840万颗,年产内存模组3000万条的生产能力。

先进封装技术将被广泛应用,沛顿科技如何布局?

沛顿科技专注于提供存储封测领域整体解决方案,何洪文拥有十多年先进封装技术研发及管理经验,对未来存储封装技术的发展趋势及技术挑战有独到的见解。

在MTS2022峰会上,何洪文介绍了包括POPt技术,3D TSV技术,Hybrid bonding技术等先进封装技术现状及挑战。

对于POPt技术,主要挑战为wafer的减薄切割技术,基板的handling技术,多层叠die技术,warpage控制技术等等;对于3D TSV技术,除了工艺技术挑战之外,还包括散热挑战与应力挑战;对于Hybrid bonding技术,工艺复杂且可靠性要求高。

何洪文指出未来随着高端存储芯片的演进,先进封装技术会更多地被应用。

沛顿科技封装技术布局方面,何洪文表示POPt技术及Flip-chip技术今年已经研发成功并开始试产。同时公司开始布局Bumping工艺,预计2023年上半年可实现量产;3D TSV技术、HB技术等也在积极地进行战略布局和规划。