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【制造/封测】联电大举购置新机台扩产,瞄准8英寸晶圆第三代半导体制造领域

来源:全球半导体观察    原作者:Emma    

据媒体报道,联电加速布局8英寸晶圆第三代半导体制造领域,自行购置蚀刻、薄膜新机台,预计下半年将进驻8英寸AB厂。

在2021年年底,业界便有消息表明,联电早已低调布局第三代半导体领域。其主要通过转投资联颖光电切入,锁定6英寸氮化镓;并与比利时微电子研究中心(IMEC)合作,进行技术研发合作。

据悉,联颖光电为联电子公司,主要提供6英寸氮化镓晶圆代工服务,生产CMOS 制程的二极管、MOSFET 以及滤波器等。多年前联电将旗下6英寸厂转给联颖光电。在2021年下半年开始,联颖光电业绩持续上升。市场也传出联颖打算办理现金增资、扩展产能的消息。

联电首席财务官刘启东对此回应称,集团在第三代半导体的发展上,仍以联颖为主,联电则进行研发,不过确实有在合作,但细节不便透露。联电强调,在6英寸氮化镓领域站稳脚步之后,也将展开碳化硅(SiC)布局,并朝8英寸晶圆发展。联颖第三代半导体制程将以CMOS制程做转换,未来有机会将伺机寻求生产扩充的空间。

据TrendForce集邦咨询研究推估,第三类功率半导体产值将从2021年的9.8亿美元,至2025年将成长至47.1亿美元,年复合成长率达48%。而GaN适合高频率应用,包括通讯装置,以及用于手机、平板、笔电的快充。预估GaN功率半导体至2025年可达13.2亿美元。

封面图片来源:拍信网