中欣晶圆12英寸BCD硅片产品取得技术突破

来源：全球半导体观察 2024-12-03 10:37:15

近日，中欣晶圆12英寸轻掺BCD硅片产品取得技术突破，良率达到行业先进水平，通过国内外客户验证并已实现规模量产。

中欣晶圆介绍称，其12英寸轻掺BCD硅片产品，先进的COP Free及BMD控制晶体生长技术，以及高平坦度、洁净度的产品加工平台，使得产品具备优异的性能表现，未来将持续供应。

资料显示，BCD是功率集成电路的关键技术，结合模拟、数字、功率三种不同技术的优势，拥有稳定的性能表现和优异的电性参数，提高了芯片的可靠性，减少电磁干扰，拥有更小的芯片面积，广泛应用于电源管理、模拟数据采集和功率器件等领域。

封面图片来源：拍信网

【免责声明】

1、「DRAMeXchange-全球半导体观察」包含的内容和信息是根据公开资料分析和演释，该公开资料，属可靠之来源搜集，但这些分析和信息并未经独立核实。本网站有权但无此义务，改善或更正在本网站的任何部分之错误或疏失。
2、任何在「DRAMeXchange-全球半导体观察」上出现的信息（包括但不限于公司资料、资讯、研究报告、产品价格等），力求但不保证数据的准确性，均只作为参考，您须对您自主决定的行为负责。如有错漏，请以各公司官方网站公布为准。
3、「DRAMeXchange-全球半导体观察」信息服务基于"现况"及"现有"提供，网站的信息和内容如有更改恕不另行通知。
4、「DRAMeXchange-全球半导体观察」尊重并保护所有使用用户的个人隐私权，您注册的用户名、电子邮件地址等个人资料，非经您亲自许可或根据相关法律、法规的强制性规定，不会主动地泄露给第三方。

「DRAMeXchange-全球半导体观察」所刊原创内容之著作权属于「DRAMeXchange-全球半导体观察」网站所有，未经本站之同意或授权，任何人不得以任何形式重制、转载、散布、引用、变更、播送或出版该内容之全部或局部，亦不得有其他任何违反本站著作权之行为。