闪存芯片最新资讯动态-全球半导体观察丨DRAMeXchange

NAND闪存芯片进入革新时代

2022-08-05

近日，美光和SK海力士相继官宣，其NAND闪存芯片对堆叠层数突破200层限制。其中，美光的闪存芯片由232层存储单元组成...

SK海力士闪存芯片 NAND Flash

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MaxLinear收购慧荣案进展：HSR审查等待期结束

2022-06-30

近日，慧荣科技宣布，根据1976年的Hart-Scott-Rodino反托拉斯改进法案(HSR法案)，此前宣布的MaxLinear将以现金加股票的方式收购慧荣科技...

闪存芯片 NAND Flash SSD控制器

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闪存制造商正在研发7级单元的3D NAND闪存？

2022-06-16

据《PC watch》6月15日报道，铠侠目前正在开发7级单元的3D NAND闪存，暂时只能在实验室的低温条件下实现。目前铠侠并未为7级单元的3D NAND闪存命名...

闪存芯片 NAND Flash 铠侠

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至讯创新与群联电子战略合作，合力突破汽车电子存储瓶颈

2022-05-26

2022年5月，至讯创新与群联电子就2D NAND闪存在汽车电子市场的应用方面正式达成合作意向，并签署战略合作协议...

闪存芯片 NAND Flash 群联电子

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募集资金4.98亿元！芯天下创业板IPO上市申请获受理

2022-05-06

近日，芯天下技术股份有限公司创业板IPO上市申请获深圳证券交易所正式受理。芯天下本次拟公开发行股份不超过3434.00万股...

闪存芯片 NAND Flash NOR Flash

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外媒：三星将在5月初为NAND闪存生产安装晶圆厂设备

2022-04-20

据外媒TheElec 4月19日报道，三星计划于5月初在其平泽工厂的新晶圆厂P3上安装晶圆厂设备。TheElec引述消息人士称，三星将首先在5月第一周为NAND闪存生产安装晶圆厂设备...

三星电子闪存芯片 NAND Flash

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长江存储致态发布全新存储产品，解锁PCIe 3.0峰值性能

2022-04-08

采用基于晶栈2.0（Xtacking® 2.0）架构的长江存储第三代三维闪存芯片，支持PCIe Gen3x4接口、NVMe 1.3协议，顺序读取速度高达3500 MB/s，可大幅提升PCIe Gen3平台用户在电竞...

闪存芯片 SSD固态硬盘长江存储

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DS Techopia计划将NAND闪存芯片所需材料扩产50%

2022-04-07

据韩媒TheElec 4月4日消息，韩国NAND闪存芯片材料供应商DS Techopia计划在第三季度将其用于生产NAND闪存芯片的材料六氯乙硅烷（HCDS）的产能扩大多达50%...

三星闪存芯片半导体材料

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月产25万片12英寸晶圆三星西安NAND闪存二厂完成扩建并投产

2022-04-02

据BusinessKorea 4月1日报道，三星电子最近在中国西安完成了第二座NAND闪存工厂的扩建，并开始全面生产...