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重压之下,又一存储大厂减产NAND闪存?

据韩媒《BusinessKorea》2月7日报道,西部数据在2022年第四季度业绩电话会议上表示,在2023财年,全年设备投资总额将达到23亿...

闪存芯片 NAND Flash 西部数据

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北京君正:芯楷目前已有产品实现量产

2月1日,北京君正在投资者互动平台表示,芯楷目前已有产品实现量产,目前正在做产品推广...

闪存芯片 NOR Flash 北京君正

存储器

重大突破 | 国内首款全自研中小容量19nm 2D NAND研制成功

由至讯创新完全自主研发的国内首款中小容量高可靠性19nm 2D NAND闪存芯片研制成功,预计将于明年年初全面投放市场...

闪存芯片 NAND Flash 至讯创新

存储器

铠侠/西数Fab7合资厂竣工,2023年初出货第六代162层闪存

当地时间10月26日,日本存储器大厂铠侠(Kioxia)宣布,公司和西部数据(Western Digital )位于日本四日市的合资工厂Fab7竣工...

闪存芯片 西部数据 铠侠

存储器

NAND闪存三十五年,看得见与看不见的“江湖春秋”

历史有时候总是如此相似,行业领先者为了自己的统治地位,一头埋进已有技术的辉煌里,对新技术视而不见,试图将新技术扼杀在摇篮之中....

闪存芯片 NAND Flash 半导体存储器

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闪存芯片设计企业优存科技获数千万元B轮融资

据毅然资本消息,近日,闪存芯片设计企业南京优存科技获数千万元B轮融资,由毅然资本领投。本轮融资将主要用于加大技术与产品研发投入规模...

闪存芯片 芯片设计 NOR Flash

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东芯股份回应19nm闪存进度及3D NAND研发问题

近日,东芯股份在投资者互动平台表示,公司19nm先进制程的NANDFlash产品已完成了首轮流片,目前正在产品调试的过程中...

闪存芯片 NAND Flash 东芯半导体

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外媒:三星计划本月开设NAND闪存新研发中心

据外媒《BusinessKorea》8月17日报道,三星预计将在今年内发布236层NAND闪存产品。此外,三星还计划在本月开设一个新的研发中心...

三星 闪存芯片 NAND Flash

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NAND闪存芯片进入革新时代

近日,美光和SK海力士相继官宣,其NAND闪存芯片对堆叠层数突破200层限制。其中,美光的闪存芯片由232层存储单元组成...

SK海力士 闪存芯片 NAND Flash

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