7纳米制程领先 传高通骁龙芯片弃三星转单台积电

据传台积电微缩制程进度大幅超前三星，高通变心，决定把7纳米芯片订单转给台积电。

韩媒etnews报导，三星替高通代工骁龙820、830系列芯片。不过业界消息透露，未来高通将转单台积电，生产7纳米的次世代骁龙处理器。据了解，台积电今年9月将试产7纳米骁龙芯片，预定今年底到明年初之间量产。据称三星掉单原因是，去年下半年台积电就提供客户7纳米的制程设计套件(Process Design Kit, PDK)，三星电子远远落后，要到今年七月才能发布7纳米PDK的beta测试版本。

报导称，台积电眼光精准，跳过10纳米、直攻7纳米制程。三星电子则停留10纳米，近来才推出比10纳米略为升级的8纳米制程。从三星自家Exynos处理器生产进度也可发现，三星7纳米脚步迟缓。明年初量产的次世代Exynos芯片，将采8纳米，7纳米Exynos芯片要到明年下半年才会量产。

台积电不只制程研发脚步快，另一优势是掌握先进封装技术--“扇出型晶圆级封装”(Fan-Out Wafer Level Package，FoWLP)。三星在这方面也落后台积电，尽管全力研发比FoWLP更进步的“扇出型面板级封装”(Fan-out Panel Level Package、FoPLP)，但估计仍需一两年时间才能采用。

之前外媒也有谣传，高通次世代骁龙845芯片订单，或许不再由三星吃下。

AndroidHeadlines 5月报导，据了解高通次世代芯片骁龙845进入研发，预定2018年初问世，首发机种是三星电子的Galaxy S9；一如今年上市的骁龙835，首发机种为Galaxy S8。目前骁龙835订单由三星电子一家通吃。

消息称，骁龙835采用10纳米制程，明年的骁龙845将晋级至7纳米制程，和前代相比，效能将提升25~35%。三星电子和台积电都努力争取订单，目前台积电7纳米制程已进入试产。

据称，除了高通之外，联发科、华为、Nvidia也都有意改用7纳米制程。

另外，外传三星封测技术不如人，10纳米以下封装制程打算外包。

韩媒etnews 6月8日报导，业界消息透露，最近三星系统LSI部门找上美国和大陆的OSAT(委外半导体封装测试业者)，请他们开发7、8纳米的封装技术。据传美厂手上高通订单忙不完，未立即回覆。陆厂则表达了接单意愿。

倘若三星真的把封测制程外包，将是该公司开始生产Exynos芯片以来首例。三星仍在考虑要自行研发或外包，预料在本月或下个月做出最后决定。

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