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【IC设计】三星对抗台积电、创意联军 要大抢7纳米及8纳米的ASIC订单

来源:中时电子报       

全球第二大晶圆代工厂格芯(GF)决定无限期搁置7纳米投资计划后,7纳米及更先进制程晶圆代工市场将呈现台积电及三星双雄竞逐局面。台积电结合旗下创意分进合击,三星则与智原扩大合作,明年可望在7纳米及8纳米市场抢下多款ASIC订单。

三星对抗台积电、创意联军 要大抢7纳米及8纳米的ASIC订单

台积电及三星在ASIC市场布局(来源:工商时报)

■ 想对抗台积电、创意联军

三星集团去年将晶圆代工事业切割为独立晶圆代工厂Samsung Foundry后,同步建立了先进制程整合服务的(Samsung Advanced Foundry Ecosystem,SAFE)完整生态系统,并寻求合适的特殊应用IC(ASIC)合作伙伴。智原今年1月加入三星SAFE体系,不到半年时间就完成了数颗10纳米区块链ASIC设计定案,三星因此决定与智原在ASIC市场扩大合作。

三星除了在未来几年在先进逻辑制程上予以智原完整支援,也提供在存储器及先进2.5D/3D封装技术的奥援。三星携手智原,就是要在ASIC市场对抗台积电及创意联军,并进一步争取包括苹果、亚马逊、Google、思科等系统厂或网络厂ASIC订单。

事实上,三星近期更新了晶圆代工先进制程技术蓝图,今年推出支援极紫外光(EUV)微影技术的7纳米鳍式场效电晶体(FinFET)制程,也将新增采用浸润式微影技术的8纳米8LPU制程。同时,明年还会推出支援EUV技术的5纳米及4纳米FinFET制程,以及可支援嵌入式射频(+RF)与嵌入式磁阻式随机存取存储器(eMRAM)的18纳米全空乏绝缘层上覆硅(FD-SOI)的18FDS制程。

至于被视为可以取得FinFET电晶体架构的全环绕电晶体(Gate-All-Around,GAA)架构,三星预估会在2020年推出采用GAA架构并支援EUV技术的3纳米制程。面对台积电在先进封装技术上的积极卡位,三星推出可与台积电整扇出型晶圆级封装(InFO)抗衡的FOPLP-PoP封装制程,以及与台积电CoWoS封装制程相抗衡的I-Cube封装制程。

再者,三星集团本身拥有庞大的DRAM及NAND Flash产能,明年将推出异质晶圆同尺寸完整堆叠的3D SiP封装。

■ 智原的ASIC设计能力助威

智原表示,今年1月加入三星SAFE生态系统,搭配完整验证的知识产权(IP)解决方案,使客户的ASIC在三星FinFET制程技术中得以快速实现。三星晶圆代工和智原ASIC设计服务的结合,将加速客户在创新应用扩展,并提升芯片效能以及市场竞争力。

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