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【半导体/IC】台积电14B厂晶圆瑕疵,光阻原料不符规格造成

来源:台湾中央社       

晶圆代工厂台积电今天针对晶圆 14B 厂发生晶圆良率偏低问题再次发表声明,表示主要是 12 纳米及 16 纳米晶圆良率出问题,是供应商供应的光阻原料不符规格造成。

台积电指出,内部是在 1 月 19 日发现晶圆 14B 厂的 12 纳米及 16 纳米良率出现问题,经追查后了解问题出在一批光阻原料。

这批原料是来自一个与台积电有多年供货经验优良的厂商,台积电表示,但这批原料与过去供应的原料规格有相当误差。

台积电指出,内部立即停用这批不符规格的原料,并马上通知所有受到影响的客户。

台积电表示,过去 10 天已与所有受影响的客户密切沟通,包含相关补货和交期的细节,以目前 12 纳米与 16 纳米产能利用率估计,受影响的晶圆大部分能在第 1 季补回,这起事件应不影响第 1 季营运目标,季营收将约 73 亿至 74 亿美元,将季减 22%。

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