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【IC设计】联发科5G旗舰芯片将改用4纳米制程生产

来源:全球半导体观察整理       

4月19日消息,据台湾经济日报援引市场消息,联发科已修正产品蓝图,将原定为以5纳米制程生产的5G旗舰芯片“天玑2000”升级为以4纳米制程生产,同时开出3纳米产品,成为台积电4纳米和3纳米的首位客户。

这是联发科手机旗舰芯片在先进制程导入上,首次与头号竞争对手高通并驾齐驱、甚至超越高通。由于4纳米制程晶片效能更优于5纳米,联发科5G新旗舰晶片产品单价将拉高到80美元以上,远高于现行平均单价30至35美元。

对于相关传闻,联发科回应称,无法评论产品蓝图和制程使用情况,仅强调台积电一直是该公司最重要的合作伙伴。

据报道,联发科这款4纳米5G旗舰晶片,已经手握OPPO、vivo及小米等三大非苹果客户订单,芯片可望在明年第3季末、第4季初量产,进度将与苹果、超微相当,并于第4季大量出货,以便客户端抢占明年初的农历春节商机。

业界人士指出,晶圆代工产能紧缺,高通因为部分产能放在三星而受其害;相较之下,联发科与台积电合作密切,这次得到最佳合作伙伴产能支持,在晶片厂抢产能大战中,成为受创较轻的厂商,有助抢攻商机。据了解,联发科对下半年的4纳米旗舰晶片抱以相当大的期待,尤其对手高通新一代骁龙8系列芯片虽采用三星的4纳米制程,但效能仅与台积电的5纳米相当,有机会使联发科的4纳米芯片超越高通。

封面图片来源:拍信网