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【IC设计】4纳米芯片明年Q1放量 估明年5G芯片价量续扬

来源:钜亨网       

IC设计大厂联发科(26)日召开法说会,执行长蔡力行表示,首颗采用台积电4纳米制程芯片将在明年首季正式放量,且受惠进入旗舰手机市场,预期明年5G芯片出货量及平均单价皆可持续提升。

蔡力行指出,旗舰机种对联发科来说是全新的市场,但凭借独特设计架构、优异的低功耗设计,以及台积电4纳米制程,首款旗舰产品效能领先业界,有助联发科提升市占率。

联发科该款5G旗舰芯片已获所有主要的中国大陆品牌采用,预计年底就会开始贡献营收,明年第一季则可进入放量阶段,未来也将推出更多旗舰级产品,进一步拓展市场。

此外,5G通讯商转迈入第三年,今年全球5G渗透率约为35-40%,蔡力行看好,明年5G渗透率将超过50%,联发科目前已在全球手机市占取得领先,可持续受惠,也会抢进毫米波产品升级潮。

市场方面,蔡力行补充,今年除了持续布局中国大陆市场,也与全球品牌在美洲、欧洲、印度及其他新兴市场导入5G,且导入动能相当强劲,预期成长动能也将一路延续至明年。

封面图片来源:拍信网