三星研发容量1Tb新3D NAND存储器 预计明年问世

三星电子NAND Flash技术再升级，9日宣布研发出容量达1Tb(terabit)的3D NAND芯片，预计明年问世。

Pulse、ZDNet、韩联社报导，三星研发1Tb的V-NAND芯片(即垂直堆叠的3D NAND)，容量是当前最大存储器512Gb(gigabit)的两倍。三星将结合16个1Tb的die，构成一组3D NAND组，每组存储器容量可达2TB(terabyte)。三星宣称，该技术是过去十年来存储器的最大进展之一。

1Tb相当于126GB，能够储存60部两小时的高画质电影。三星表示，许多产业发展人工智能和物联网，数据密集的应用程序大增，Flash存储器扮演关键角色，可以加快资料抽取速度，以供即时分析。

不只如此，三星也秀出NGSFF固态硬盘(Next Generation Small Form Factor SSD)，将取代当前的M.2 SSD规格。三星表示NGSFF容量为前代的四倍，将于今年第四季量产。

三星去年发布Z-SSD技术，现在首度发表采用此一技术的SZ985固态硬盘，宣称可用于数据中心和企业系统，处理大数据分析等数据密集作业。Z-SSD读取延迟时间为15微秒，大约是NVME固态硬盘的1/7。

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