3D X-DRAM技术问世，可生产230层128Gbit DRAM

来源：全球半导体观察整理 2023-05-06 14:30:25

近日，初创公司NEO Semiconductor宣布，推出其突破性技术3D X-DRAM。3D X-DRAM是第一个基于无电容器浮体单元 (FBC) 技术的类似3D NAND的DRAM单元阵列结构，旨在解决DRAM的容量瓶颈，取代2D DRAM市场。

据NEO介绍，其3D X-DRAM技术可以生产230层的128Gbit DRAM芯片——是当前DRAM密度的八倍，并预计在2030到2035年间就能实现1Tb的容量。

NEO表示，3D X-DRAM是解决由下一波AI应用（例如ChatGPT）驱动的对高性能和大容量存储器半导体的需求增长所必需的。

联合创始人兼首席执行官Andy Hsu表示：“3D X-DRAM将是半导体行业未来绝对的增长动力。”

NEO专注于半导体存储器并开发了X-NAND技术，NAND芯片具有多个平行平面以加速数据访问——第一代顺序写入带宽为1,600MBps，第二代为3,200MBps。

封面图片来源：拍信网

【免责声明】

1、「DRAMeXchange-全球半导体观察」包含的内容和信息是根据公开资料分析和演释，该公开资料，属可靠之来源搜集，但这些分析和信息并未经独立核实。本网站有权但无此义务，改善或更正在本网站的任何部分之错误或疏失。
2、任何在「DRAMeXchange-全球半导体观察」上出现的信息（包括但不限于公司资料、资讯、研究报告、产品价格等），力求但不保证数据的准确性，均只作为参考，您须对您自主决定的行为负责。如有错漏，请以各公司官方网站公布为准。
3、「DRAMeXchange-全球半导体观察」信息服务基于"现况"及"现有"提供，网站的信息和内容如有更改恕不另行通知。
4、「DRAMeXchange-全球半导体观察」尊重并保护所有使用用户的个人隐私权，您注册的用户名、电子邮件地址等个人资料，非经您亲自许可或根据相关法律、法规的强制性规定，不会主动地泄露给第三方。

「DRAMeXchange-全球半导体观察」所刊原创内容之著作权属于「DRAMeXchange-全球半导体观察」网站所有，未经本站之同意或授权，任何人不得以任何形式重制、转载、散布、引用、变更、播送或出版该内容之全部或局部，亦不得有其他任何违反本站著作权之行为。