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存储厂商逐鹿HBM3E市场

来源:全球半导体观察    原作者:刘静    

近日,韩国媒体报道称,三星或将向英伟达独家供应12层HBM3E。报道指出,英伟达最快将从9月开始大量购买三星电子的12层HBM3E,后者将向英伟达独家供应12层HBM3E。

据媒体报道,英伟达CEO黄仁勋近期在GTC 2024期间曾在三星电子12层HBM3E实物产品上留下了“黄仁勋认证(JENSEN APPROVED)”的签名,这似乎也从侧面印证了英伟达对三星HBM3E产品的认可。

资料显示,HBM高带宽存储器全称为“High Bandwidth Memory”,具有高带宽、高容量、低延时与低功耗等优势。在人工智能发展浪潮下,AI大模型应用的加速,推动高性能存储器市场需求不断增长。

据市场研究机构TrendForce集邦咨询数据显示,2023年HBM产值占比之于DRAM整体产业约8.4%,至2024年底将扩大至20.1%。集邦咨询资深研究副总吴雅婷预估,截至2024年底,整体DRAM产业规划生产HBM TSV的产能约为250K/m,占总DRAM产能(约1,800K/m)约14%,供给位元年成长约260%。

HBM3E:三大原厂你追我赶

自2014年全球首款硅通孔(TSV, Through Silicon Via)HBM产品问世以来,经过近10年的发展,目前,HBM存储器技术已经迭代至HBM3E。

从原厂来看,HBM3E市场的竞争主要集中在美光(Micron)、SK海力士、及三星。据悉,上述三大厂商已分别于2023年7月底、8月中、10月初提供8hi(24GB)样品。值得一提的是,今年以来,三大厂商在HBM3E的竞争方面更是你追我赶,均推出了最新的产品。

2月27日,三星宣布推出首款12层堆叠HBM3E DRAM——HBM3E 12H,而这也是三星目前为止容量最大的HBM产品,达36GB。三星指出,其已开始向客户提供HBM3E 12H样品,预计于今年下半年开始大规模量产。

3月初,美光宣布已开始量产其HBM3E高带宽内存解决方案。美光表示,英伟达H200 Tensor Core GPU将采用美光8层堆叠的24GB容量HBM3E内存,并于2024年第二季度开始出货。

3月19日,SK海力士宣布成功量产超高性能用于AI的存储器新产品HBM3E,实现了全球首次向客户供应现有DRAM最高性能的HBM3E。

集邦咨询认为,自2024年起,市场关注焦点将由HBM3转向HBM3e,预计下半年将逐季放量,并逐步成为HBM市场主流。

据集邦咨询调查,2024年第一季由SK海力士率先通过验证,美光紧跟其后,并于第一季底开始递交HBM3e量产产品,以搭配计划在第二季末铺货的NVIDIA H200。三星由于递交样品的时程较其他两家供应商略晚,预计其HBM3e将于第一季末前通过验证,并于第二季开始正式出货。由于三星HBM3的验证已经有了突破,且HBM3e的验证若无意外也即将完成,这也意味着该公司的出货市占于今年末将与SK海力士拉近差距。

封面图片来源:拍信网