创意电子推全球首款HBM4 IP，采台积电N3P制程成功投片

4月2日，全球先进ASIC设计服务厂商创意电子正式宣布，成功完成HBM4控制器与PHY IP的投片。该芯片采用台积电最先进的N3P制程技术，并结合CoWoS®-R先进封装技术实现。

官方数据显示，创意电子的HBM4 IP支持高达12Gbps的数据传输速率。透过创新的中介层（interposer）布局设计，GUC优化了信号完整性（SI）与电源完整性（PI），确保HBM4在各类CoWoS技术下皆能稳定运行于高速模式。相较于HBM3，GUC的HBM4 PHY实现了2.5倍的带宽提升，并将功耗效率提升1.5倍，面积效率提升2倍。

GUC HBM4 IP亮点设计：在所有sign-off PVT条件下均可达12Gbps高总线利用率，随机读写存取时可达约90%创新中介层（interposer）布局设计，确保各类CoWoS技术下的最佳SI/PI表现内建由proteanTecs所提供之每通道实时I/O及clock能效与健康监测电路

GUC总经理戴尚义表示：「我们很自豪成为全球首家成功投片12Gbps HBM4控制器与PHY IP的公司。我们将持续致力于提供业界领先的2.5D/3D IP与服务。通过整合HBM4、UCIe-A与UCIe-3D IP，我们为半导体产业提供全面性的解决方案，以满足市场不断演进的需求。」

随着AI大模型训练与推理、数据中心加速等应用对内存带宽的需求持续增长，HBM技术成为解决"内存墙"瓶颈的关键。根据全球市场研究机构TrendForce集邦咨询数据显示，2024年HBM需求位元年成长率接近200%，2025年将再翻倍。
 
HBM4的研发依赖于代工厂、存储厂商与IP设计公司的协同。创意电子的HBM4 IP基于台积电N3P制程，后者是台积电第三代3nm工艺，相比N3E在性能与能效上进一步优化。CoWoS-R封装技术则被广泛应用于高端GPU与AI芯片，如NVIDIA的H100/B100、AMD的Instinct MI300系列等。 

目前，Synopsys、Cadence等EDA厂商已推出HBM4 IP验证工具，但控制器与PHY IP的完整方案仍由少数厂商提供。存储厂商如SK海力士与三星计划在2026年量产HBM4芯片，而创意电子此次投片标志着IP设计环节的提前就绪。