三星据悉与英伟达合作加速研发下一代NAND闪存

来源：科创板日报 2026-03-13 09:15:59

3月13日，据媒体援引未具名业内人士的话报道，三星电子正在与英伟达合作加速开发下一代NAND闪存芯片。三星半导体研究院、英伟达和佐治亚州理工学院的联合研究团队开发出一种“物理信息神经算子”模型，能以比现有模型快10,000倍以上的速度分析铁电基NAND器件的性能，并公布了研究成果。基于相关研究成果，三星正与英伟达合作开发和商业化铁电NAND闪存。

【免责声明】

1、「DRAMeXchange-全球半导体观察」包含的内容和信息是根据公开资料分析和演释，该公开资料，属可靠之来源搜集，但这些分析和信息并未经独立核实。本网站有权但无此义务，改善或更正在本网站的任何部分之错误或疏失。
2、任何在「DRAMeXchange-全球半导体观察」上出现的信息（包括但不限于公司资料、资讯、研究报告、产品价格等），力求但不保证数据的准确性，均只作为参考，您须对您自主决定的行为负责。如有错漏，请以各公司官方网站公布为准。
3、「DRAMeXchange-全球半导体观察」信息服务基于"现况"及"现有"提供，网站的信息和内容如有更改恕不另行通知。
4、「DRAMeXchange-全球半导体观察」尊重并保护所有使用用户的个人隐私权，您注册的用户名、电子邮件地址等个人资料，非经您亲自许可或根据相关法律、法规的强制性规定，不会主动地泄露给第三方。

「DRAMeXchange-全球半导体观察」所刊原创内容之著作权属于「DRAMeXchange-全球半导体观察」网站所有，未经本站之同意或授权，任何人不得以任何形式重制、转载、散布、引用、变更、播送或出版该内容之全部或局部，亦不得有其他任何违反本站著作权之行为。

三星据悉与英伟达合作加速研发下一代NAND闪存

相关文章

每日行情

主编推荐

研究报告