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【材料/设备】总投资30亿元,百识第三代半导体6寸晶圆制造项目签约

来源:全球半导体观察       

近日,在第31届中国南京金秋经贸洽谈会上,投资30亿元的百识第三代半导体6寸晶圆制造项目成功签约,象征着国产第三代半导体在奋起直追的路上有了“南京身影”。

据南京日报报道,该项目由南京百识电子科技有限公司建设,总投资30亿元,拟用地80亩,建立第三代半导体外延片+器件专业代工,可以承接国内外IDM与design house的委托制作订单,串接国内上下游产业链,达到第三代半导体芯片国造的目标,产品主要应用于5G基站、电动车、雷达、快速充电器等。

据新华日报报道,在浦口开发区相关负责人看来,百识的技术水平与欧美日已基本没有代差。这个项目补上了南京集成电路产业链的重要一环,更将影响5G、新能源汽车产业的发展,第三代半导体是快速充电桩的核心部件,在全国大力推进新基建的背景下,市场潜力不可估量。

资料显示,百识电子成立于2019年8月,生产碳化硅及氮化镓相关外延片,包含GaN on Silicon、GaN on Sic以及SiC on SiC,涵盖功率以及射频微波等应用,针对高压、高功率以及射频微波等应用市场提供专业、高质量的碳化硅及氮化镓外延代工服务。    

2019年12月,百识电子获得和利资本领投的天使轮5000万融资;2020年9月,百识电子宣布超募完成Pre-A轮融资,融资总额过亿元人民币。本轮融资仍由和利资本领投,台达电等知名投资方跟投。

封面图片来源:拍信网