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【材料/设备】瞄准碳化硅领域,深圳哈勃投资天域半导体

来源:全球半导体观察整理    原作者:Niki    

企查查信息显示,近日,东莞市天域半导体科技有限公司(以下简称“天域半导体”)工商信息发生变更,其中,注册资本从9027.0589万元增至9770.4638万元,同时新增深圳哈勃科技投资合伙企业(有限合伙)(以下简称“深圳哈勃”)为股东。


△图片来源:企查查

资料显示,天域半导体成立于2009年1月7日,是我国首家专业从事第三代半导体碳化硅外延片研发、生产和销售的高新技术企业。目前公司已引进3台世界一流的SiC-CVD及配套检测设备,生长技术已达到国际先进水平。

2010年,天域半导体与中国科学院半导体研究所合作,共同创建碳化硅研究所。天域半导体可提供4英寸、6英寸碳化硅外延晶圆,是制作各种单极、双极型碳化硅功率器件的关键材料。

深圳哈勃成立于2021年4月15日,注册资本20亿元,为华为旗下公司,其股东包括华为技术有限公司、华为终端(深圳)有限公司、哈勃科技投资有限公司。天域半导体市深圳哈勃投资的第三家半导体企业,在此之前曾投资了强一半导体、云英谷等。

封面图片来源:拍信网