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【功率器件】安建半导体获1.8亿元B轮融资,用于MOS和IGBT全系列产品开发等

来源:全球半导体观察整理       

据投资界消息,半导体功率器件厂商安建半导体已于近日获1.8亿元B轮融资,募集资金将主要用于高、低压MOS和IGBT全系列产品开发、第三代半导体SiC器件开发和IGBT模块封测厂建设。

据悉,安建半导体成立于2016年,目前产品线已经涵盖大部分MOS管和IGBT产品,其中低电压的SGT-MOS管、高电压的SJ-MOS管、Field Stop Trench IGBT(场截止沟槽型绝缘栅双极晶体管)三条产品线实现量产。

对于未来,安建半导体表示还将针对不同应用场景还将继续开发不同性能和不同规格的产品,实现功率器件所有电压和电流全覆盖,完成做全系列高低压MOS管和IGBT产品的目标。

同时,安建半导体还计划推出车规级产品。官方表示,安建半导体正在与上海汽车商谈战略合作,研发应用于其新能车的IGBT产品。

封面图片来源:拍信网