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【制造/封测】成熟度优于台积电7纳米?格芯推出12纳米ARM架构3D芯片

来源:TechNews科技新报    原作者:Atkinson    

晶圆代工大厂格芯(GlobalFoundries)8日宣布,开发出基于ARM架构的3D高密度测试芯片,将实现更高水准的性能和功效。由于当前芯片封装一直是芯片制造中的一个关键点,使得在传统的2D封装技术已经发展到瓶颈之后,半导体制造商们把目光转向3D堆叠技术上。除了看到大量的3D NAND Flash快闪存储器的应用,英特尔和AMD也都有提出关于3D芯片的研究报告。如今,ARM和格芯也加入这领域。

格芯指出,新开发出基于ARM架构的3D高密度测试芯片,是采用格芯的12纳米FinFET制程所制造,采用3D的ARM网状互连技术,允许资料更直接的传输到其他内核,极大化的降低延迟性。而这样的架构,这可以降低资料中心、边缘运算以及高端消费者应用程式的延迟,并且提升数据的传输速度。

格芯强调,新开发出基于ARM架构的3D高密度测试芯片,可以进一步在每平方公厘上达成多达100万个3D的连接,使其具有高度可扩展性,并有望延展12纳米制成的寿命。另外,3D封装解决方案(F2F)不仅为设计人员提供了异构逻辑和逻辑/存储器整合的途径,而且可以使用最佳生产节点制造,以达成更低的延迟、更高的频宽,更小芯片尺寸的目标。

格芯表示,因为当前的12纳米制程成熟稳定,因此目前在3D空间上开发芯片更加容易,而不必担心新一代7纳米制程所可能带来的问题。然而,台积电、三星和英特尔能够在比格芯小得多的节点上开发3D芯片,而且也已经相关的报告。而何时推出,就只是时间上的问题。届时,格芯是否能以较低廉的价格优势,进一步与其他晶圆生产厂商竞争,就有待后续的观察。

图片声明:封面图片来源于正版图片库:拍信网

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