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【制造/封测】台积电2纳米取得突破:将采用GAA技术 或2023~2024年投产

来源:TechNews科技新报    原作者:Atkinson    

台积电先进制程的部分,目前5纳米准备积极进入量产,3纳米也将在2022年迎来投产的关键时刻,而更先进的2纳米制程也传出取得重大进展。市场估计,台积电2纳米预计在2023~2024年量产的情况下,预计将能进一步巩固全球晶圆代工龙头的地位。

根据《经济日报》的报导,台积电在考虑成本及良率的因素下,3纳米制程延用鳍式场效电晶体(FinFET)技术,并取得全球的领导地位之后,更先进的2纳米制程预计将切入环绕闸极(GAA)技术,正式进入另一个全新的制程技术领域,而且预料在接下来的年度技术论坛中,台积电将会公布这项成果。

不过,台积电对此并未做任何评论。

报导指出,虽然台积电自2019年公布,将以数百人的研发团队正式投入2纳米的技术研发以来,至今没有公布2纳米制程节点将会选择沿用FinFET技术,或者是改用GAA技术。不过,根据相关供应链表示,因为FinFET技术将自3纳米以下会面临技术瓶颈,因此台积电才会在2纳米选择采用GAA的技术。

另外,因为竞争对手三星已经宣布自3纳米的制程节点开始,就采用GAA的技术,台积电的时程显然落后三星,不过市场人士指出,就之前台积电也较三星晚采用极紫外光刻设备,但在制程良率上仍领先三星的情况下,台积电采取稳扎稳打的务实性做法,于2纳米才采用GAA技术而落三星一个世代,预计还是能持续维持其优势的地位。

报导进一步指出,这次台积电能在2纳米制程节点上有所突破,归功于台积电挽留了3年前即要退休的台积电最资深副总经理罗唯仁。他带领的团队为制程技术研发进行了突破,才有了当前的成果。为此,罗唯仁还为团队举行了庆功宴,以感谢团队的辛劳。

而根据日前台积电的公告,预计2021年动工,将于美国亚利桑那州设置的12寸厂将以5纳米制程为主,并将于2024年投产,月产能达到2万片的产能。而这时间点对照目前台积电先进制程的发展计划,届时台积电在中国台湾地区已经进入2纳米投产阶段,使得整体美国厂的完工,届时将对台积电在台湾的先进制程订单不会有所影响。

此外,日前也外传,竞争对手三星也宣布将放弃4纳米的制程,直接投入3纳米制程与台积电面对面竞争。市场人士也表示,若台积电一旦真在2023年到2024年间量产GAA技术的2纳米制程,则三星想在3纳米制程弯道超车的状况,将会难上加难。

封面图片来源:拍信网