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【制造/封测】激励核心技术团队 立昂微1元转让立昂东芯9%股权

来源:全球半导体观察    原作者:Echo    

2月8日,立昂微发布公告,拟将持有的杭州立昂东芯微电子有限公司(以下简称“立昂东芯”)9%的股权以1元的价格转让予汪耀祖等核心技术团队共同出资拥有的有限合伙企业——杭州耀高企业管理合伙企业(有限合伙)。股权转让完成后,立昂微对立昂东芯的持股比例变更为86.2111%。

公告指出,公司本次转让立昂东芯9%股权所对应的注册资本为900万元, 截至2020年12月31日,该部分股权对应的净资产为-224.67万元(未经审计)。本次股权转让系对立昂东芯核心技术团队的激励,目的在于保持骨干员工的稳定,故本次股权转让的价格为名义价格人民币1元。后续公司将对立昂东芯的股权价值进行评估,上述股权转让所属份额对应的公允价值与名义价格1元之间的差额将确认为股份支付计入公司的相关费用。相关股份支付的具体金额将在相关评估完成后另行公告。

据介绍,由汪耀祖等人组成的技术团队是由海内外技术精英构成,主要成员具有海外留学经历,以及在国际知名公司十多年的行业工作经验。整个技术团队拥有资深的化合物半导体器件和加工制造技术背景,每个人都有其自身的技术特长,主要涵盖基体材料、制造工艺技术、工业工程和品质管理等领域,在工艺整合、控制工艺参数、提高产率、可靠性和产品质量管理上有着丰富的实践经验。

公告指出,立昂东芯是一家专业从事砷化镓微波射频集成电路芯片研发与制造的公司,在国内较早建成了商业化射频集成电路芯片生产线,一直以来对技术与人才有较大的需求与依赖。汪耀祖等人的技术团队主导了立昂东芯的整个产线建设、产品开发、客户认证、市场拓展,是立昂东芯的核心技术力量,也是未来发展不可缺少的主要技术支柱。 

截至目前,汪耀祖率领的技术团队已经为立昂东芯开发了6款高集成的铟镓磷异质结双极型晶体管(InGaP HBT),7款亚微米至深亚微米砷化镓赝高电子迁移率晶体管(GaAs pHEMT)射频集成电路等生产工艺技术,主要应用于移动终端低噪放/功放芯片、基站功放/低 噪放芯片、WiFi及微基站功放/低噪放芯片、基站数据回传功放、毫米波移动端低噪放/功放芯片,以及车载雷达、卫星通讯等方面。

据公告披露,立昂东芯拥有自主知识产权的砷化镓半导体集成电路全套工艺制程技术所生产的产品已经通过多家客户认证,为下游两个以上客户批量化采购应用,达到了商业化生产与销售的目标。

公告表示,本次股权转让完成后,公司仍对立昂东芯具有控股权,且有利于对立昂东芯的核技术团队发挥较好的激励作用,有利于充分发挥技术人才的积极性,凝聚对公司未来产业定位具有重要作用的骨干员工,有利于在稳定内部人才队伍的同时吸引外部专业人才的加盟,更好地推动技术发展与企业经营,确保企业快速、可持续发展。

封面图片来源:拍信网