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【制造/封测】联电宣布与颀邦交换持股布局封测,携手瞄准化合物半导体市场

来源:科技新报    原作者:Atkinson    

晶圆代工大厂联电及100%持股子公司宏诚创投宣布,两家公司董事会通过与颀邦科技进行股份交换案。预计未来顺利完成之后,联电及颀邦科技两家公司将建立长期战略合作关系。

联电指出,双方基于多年来在驱动IC的领域密切联系合作,双方董事会决议以换股方式,相互取得对方股权,更进一步强化双方长期战略合作关系。三方同意依相关法规进行股份交换,由颀邦增资发行普通股新股67152322股作为对价,以受让联电增资发行之普通股新股61107841股,以及宏诚创投所持有之联电已发行普通股16078737股,换股比例为联电每1股换发颀邦0.87股。预计换股交易完成后,联电及子公司宏诚创投将共同持有颀邦约9.09%股权,颀邦则将持有联电约0.62%股权。

联电强调,联电当前以先进制程技术提供晶圆制造服务,为IC产业各项应用产品生产芯片,并且持续推出尖端制程技术及完整的解决方案,以符合客户的芯片设计需求,所提供方案横跨14纳米到0.6微米之制程技术。颀邦的技术制程主要是聚焦于面板驱动IC封装测试、覆晶凸块制作及晶圆级芯片尺寸封测(WLCSP),并持续投入扇出型系统级封装(FOSiP)及覆晶系统型封装(FCSiP)等相关高端先进封装技术制程开发。

另外,联电为中国台湾地区最早经营面板驱动IC晶圆代工的厂商,亦为成功使用28纳米高压制程于AMOLED面板驱动IC之先行者,并已进阶至22纳米。颀邦则是全球驱动IC封测代工领导者,产能、技术独步全球。两家公司将在驱动IC领域密切合作,整合前、后段制程技术,往更高频、更低功耗等方向迈进,共同提供面板业界一元化的解决方案。

联电进一步表示,联电近年积极投入开发化合物半导体氮化镓(GaN)功率元件与射频组件制程开发,锁定市场商机为高效能电源功率元件及5G射频元件。颀邦在电源功率元件及射频元件封测市场经营多年,并已在此行业占有举足轻重之地位,服务项目包括覆晶凸块(Bumping)、厚铜重布线(RDL)及晶圆级芯片尺寸(WLCSP)封测,适用晶圆材质除了硅(Si)外,也已经开始量产于砷化钾(GaAs)、碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等化合物晶圆上。颀邦也正在致力开发覆晶系统级(FCSiP)、扇出型系统级(FOSiP)等先进封装技术。联电、颀邦分居产业供应链之上下游,两家公司将在这些市场区块通力合作。

联电总经理简山杰表示,联电一向致力于以全球化布局扩展营运规模、强化客户竞争力及提升股东价值。面对半导体技术日趋精进,基于产业趋势及市场共同性,联电除了研发自有晶圆代工技术,也与策略伙伴携手合作,结合双方技术优势,整合上下游供应链资源,提供客户先进的制程技术方案及更完整的全方位服务。

封面图片来源:拍信网