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【制造/封测】先进封装再进一步,长电科技实现4nm芯片封装

来源:全球半导体观察整理    原作者:Emma    

近日,长电科技在互动平台表示,公司已可以实现4nm手机芯片封装,以及CPU、GPU和射频芯片的集成封装,在先进封装技术方面再度实现突破。

今年6月13日,长电科技就表示,公司一直在与不同晶圆厂在先进工艺的硅节点上进行合作,并与行业主要客户进行相关技术研发和项目开发,现已具备5/7nm晶圆制程的量产能力并支持客户完成了高性能运算芯片和智能终端主芯片产品的量产。

长电科技在先进封装技术上积累已久,近年来成果逐步显现。

去年7月,长电科技发布XDFOI多维先进封装技术,该技术为实现异构集成扩展了更多可能性,也为此次突破4nm先进工艺制程封装技术打下基础。据悉,该方案将在下半年进入生产。

在先进封装领域,SiP和Fan-out(eWLB)也是长电科技两大亮点。

SiP产品产品方面,特别是在在移动终端领域,长电科技提前布局高密度系统级封装SiP技术,配合多个国际高端客户完成多项5G射频模组的开发和量产,已应用于多款高端5G移动终端。同时,应用于智能车DMS系统的SiP模组已在开发验证中。

而eWLB是一种典型的FO-WLP技术,主要用于高端手机主处理器的封装,如苹果A10和高通820,此外FO-WLP也可应用在3D-IC封装上,未来发展潜力巨大。其位于星科金朋新加坡厂的eWLB具有较强竞争力。

2021年6月,长电科技完成对AnalogDevicesInc.(简称“ADI”)新加坡测试厂房的收购,11月,长电科技江苏宿迁苏宿工业园区的新厂正式投入量产。此外,今年3月16日,长电科技在投资者互动平台表示,公司2021年非公发募投项目中,年产36亿颗高密度集成电路及系统级封装模块项目已开始小批量试生产,年产100亿块通信用高密度混合集成电路及模块封装项目已开始生产。随着产能不断释放,公司将进一步抢占公司在5G通讯设备、大数据、汽车电子等领域的市场。

封面图片来源:拍信网