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【制造/封测】2023年?2024年?三星第二代3纳米芯片量产时间成谜

来源:全球半导体观察整理       

近期,随着首批3纳米GAA制程芯片正式出货,三星第二代3纳米芯片量产时程也受到外界关注。

最新消息是,行业分析师Sravan Kundojjala近日在Twitter上表示,三星第二代3纳米将于2024年量产,并为此与多位移动客户进行洽谈,意味着三星第二代3纳米芯片可能已吸引手机制造商的注意。

不过,根据韩国媒体《BusinessKorea》此前报道,三星计划在2023年开始生产第二代3纳米芯片,并于接下来的2025年开始生产2纳米芯片。《BusinessKorea》认为,三星想在技术实力上保持领先,尽快赶上台积电,因为台积电计划开始制造采用FinFET技术的3纳米芯片,并在2025年生产采用GAA技术的2纳米芯片。

资料显示,三星于今年6月底开始生产第一代3纳米GAA工艺芯片,首先将应用于高性能、低功耗计算领域的半导体芯片,并计划将其扩大至移动处理器领域。

与三星5nm工艺相比,三星第一代3nm工艺可以使功耗降低45%,性能提升23%,芯片面积减少16%。三星此前,表示,未来第二代3nm工艺将使功耗降低50%,性能提升30%,芯片面积减少35%。

封面图片来源:拍信网