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联电宣布通过324.17亿元新台币资本预算,扩建南科及新加坡厂

来源:全球半导体观察整理       

12月14日,联电发布公告称,董事会通过了资本预算执行方案,预计投资金额达324.17亿元新台币(约人民币73.85亿元),以供产能建设要求。

据中国台湾媒体《联合报》报道,将主要用于建设中国台湾南科晶圆12A厂P6厂区及新加坡P3厂。联电指出,南科晶圆12A厂P6厂区与新加坡P3厂共计将投资100亿美元,逾新台币3000亿元,将于3、4年内完成投资。

其中,新加坡P3厂位于白沙晶片园(Pasir Ris Wafer Park),预计2025年量产,以22纳米及28纳米制程生产。因缺工缺料及机台交期长的影响,量产时程将较原先规划的2024年底延迟超过1季时间。

封面图片来源:拍信网