英特尔圣克拉拉掩模新工厂正式动工

当地时间6月30日，英特尔在美国加利福尼亚州圣克拉拉市Bowers Campus园区举办全新掩模配套设施动工仪式，多名企业核心高管到场参与本次开工活动。出席仪式的人员包含英特尔首席执行官陈立武、英特尔代工事业部总经理Naga Chandrasekaran、英特尔掩模业务总经理Frank Abboud等管理层人员，项目启动也标志着英特尔掩模产能扩建计划正式落地。

本次新建设施聚焦半导体光刻掩模研发与量产制造环节，项目建设依托英特尔长达四十余年的掩模生产线运营积淀，建成后将全面扩充企业自有掩模加工产能，为全球客户先进制程芯片研发、大规模晶圆制造提供配套掩模支撑，满足中长期半导体产业创新与代工产能扩张带来的掩模增量需求。

光刻掩模是芯片制造核心上游材料，晶圆厂开展光刻图形化工序必须依靠对应工艺节点的掩模版，先进工艺、HBM、Chiplet等产品均需要高精度定制化掩模。英特尔长期自建掩模产线，不对外完全依赖第三方掩模供应商，从早期成熟节点到当前先进GAA工艺均配套自有掩模设计、加工、检测全流程能力，既能保障自身逻辑芯片生产供给，也可为英特尔代工业务的外部晶圆代工客户提供掩模一站式配套服务。

据现场公开披露信息，该新设施将搭载新一代高精度掩模绘制、缺陷检测、修复设备，适配包含先进逻辑、功率半导体、存储芯片在内多品类工艺节点掩模生产需求。随着全球AI芯片、车载芯片、算力硬件需求持续释放，各类制程芯片流片量稳步增长，带动高精度掩模订单同步上行，原有掩模产线产能已逐步趋近饱和，本次扩建旨在缓解中长期掩模交付周期拉长、产能紧张的行业现状。