联发科确认导入英特尔EMIB-T用于ASIC封装

据台湾《工商时报》及《经济日报》2026年8月3日报道，芯片设计大厂联发科在最新的投资者说明会（法说会）上正式确认，在其人工智能定制芯片（AI ASIC）项目中，除了继续采用台积电的CoWoS先进封装技术外，已同步导入英特尔的EMIB-T先进封装技术。这一官方确认标志着联发科的先进封装策略全面迈向多元化发展，旨在通过灵活的技术组合，应对不同云端巨头与数据中心客户对超大型AI芯片在性能、功耗与成本层面的差异化设计需求。

联发科首席执行官蔡力行在法说会上表示，公司近年积极拓展AI数据中心市场，目前已成为多家全球大型数据中心客户的重要合作伙伴。联发科不仅与台积电在先进制程节点上深化设计协同优化，同时也与主要先进封装伙伴保持密切合作。结合先进制程设计经验与大型芯片架构能力，联发科通过CoWoS与EMIB-T两种不同的2.5D先进封装路线，协助客户开发超大尺寸、高效能的ASIC产品，以支持快速扩容的AI基础设施需求。联发科此前曾透露正同步投资两种先进封装技术，本次法说会则是首度明确证实第二种方案采用的是英特尔EMIB-T。

从技术特性来看，EMIB-T属于英特尔EMIB（嵌入式多芯片互连桥）2.5D封装平台的升级版本。其核心机制是在有机基板内部嵌入小尺寸硅桥（Silicon Bridge）来连接多颗芯片裸片，从而替代传统大面积的硅中介层（Interposer），在维持高带宽、高密度互连并支持高带宽内存（HBM）集成的同时，显著降低封装制造成本。相较于既有的EMIB架构，EMIB-T进一步加入了硅穿孔（TSV）技术，大幅提升了电源与信号传输效率，赋予大型AI芯片与芯粒（Chiplet）架构更高的设计弹性。根据公开技术资料，EMIB-T可支持约8至10倍光罩尺寸的芯片集成能力，被视为高性价比打造超大算力芯片的关键技术之一。